真空蒸鍍阻隔包裝薄膜的兩種主要制備方法
時(shí)間: 2015-12-14 22:15:26 來(lái)源: 東莞銘鑫包裝材料制品廠
真空蒸鍍阻隔包裝薄膜的兩種主要制備方法真空蒸鍍阻隔包裝薄膜的主要制備方法主要可分為物理氣相沉積和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。
一、物理氣相沉積1、電阻絲蒸鍍和電子束蒸鍍沉積SiOx薄膜
電阻絲蒸發(fā)鍍法是在真空室中，用電阻絲加熱SiO2，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，在基材表面沉積SiOx薄膜的方法。電子束蒸發(fā)鍍膜法是將SiO2放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成SiOx薄膜。電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠(yuǎn)比電阻加熱源更大的能量密度，蒸發(fā)溫度高，特別適合制作高熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料，并且能有較高的蒸發(fā)速度，熱量可直接加到蒸鍍材料的表面，因而熱效率高，熱傳導(dǎo)和熱輻射的損失少，所沉積的SiOx薄膜阻隔性有顯著提高。
2、磁控濺射沉積SiOx薄膜
磁控濺射法與蒸發(fā)法相比，具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)，鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射還有其它優(yōu)點(diǎn)，如設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，控制也不太難。在濺射鍍膜過程中，只要保持工作氣壓和濺射功率恒定，基本上即可獲得穩(wěn)定的沉積速率，但沉積速率相對(duì)較低是其最大缺點(diǎn)。用單元素靶材濺射并倒入反應(yīng)氣體，進(jìn)行的反應(yīng)稱為反應(yīng)濺射，反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。
二、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積
PVDC是利用等離子體手段產(chǎn)生電子、離子、活性基團(tuán)，在氣態(tài)或基體表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，以薄膜或粉末的形式沉積于基材表面，是等離子體化學(xué)的一個(gè)重要研究方向。其應(yīng)用范圍日益擴(kuò)大，如紡織、納米材料的制備、醫(yī)用高分子材料、功能薄膜等。采用有機(jī)硅化合物作為單體，用等離子體手段先進(jìn)行離解，然后聚合沉積在基材表面，是一種新的SiOx薄膜制備手段。
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